表面電子工学研究紹介教員紹介越川　孝範
教授　越川　孝範
金属や半導体表面上でのナノ構造や超薄膜の形成過程の動的な観察や、原子レベルでの解析を、低エネルギー電子顕微鏡、光電子顕微鏡、および走査トンネル顕微鏡を用いて行っている。低エネルギー電子顕微鏡では今まで明らかにされていなかった2原子層厚さの超薄膜の構造変化の過程をはじめて直接・実時間観察することに成功した。また、超薄膜形成過程においてステップコントラストの異常な振る舞いを見出し、定性的な解析を行った。光電子顕微鏡においては、一般的に仕事関数に依存したコントラストが観察されるとされてきたが、蒸着原子の量や電子状態も考慮しなければならないことを明らかにした。

また、中エネルギーイオン散乱装置を用いて原子層オーダーの分解能で薄膜の解析を行なうとともに、低エネルギーイオン散乱装置を用いて低速イオンと固体表面との荷電変換過程の角度依存性等の基礎的な研究を行っている。

各学会，協会での役員，幹事，編集委員，査読委員等
  1. 日本学術振興会マイクロビームアナリシス第141委員会 (副委員長、運営委員、国際化委員会主査)
  2. 応用物理学会 (理事、総務委員、論文賞審査委員会委員、教育公益事業委員会委員、薄膜表面物理分科会幹事 )
  3. 日本真空協会 (理事、役員推薦委員会委員 )
  4. 日本表面科学会 (評議員、企画委員会委員、財政委員会委員、将来構想委員会委員 )
  5. 文部科学省、科学技術政策研究所 (専門調査員)
  6. 大学基準協会 (相互評価委員会委員)
国際会議での組織委員，実行委員，論文委員等
  1. 5th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '05 (Hawaii island, USA) (国際諮問委員会委員長、プログラム委員会委員長)
  2. 15th International Workshop on Inelastic Ion-Surface Collisions (Ise-shima, 2004) (共同組織委員長、国際諮問委員)
  3. Symposium on Surface Science'04 (St.Christoph, 2004) (国際諮問委員)
  4. 4th International Union on Micro-beam Analysis (IUMAS) (Florence,2005) (国際組織委員)
  5. 12th international Conference on Thin Solid Films and Surfaces (Hamamatsu, 2004) (プログラム委員)
学術雑誌の出版編集委員等
  1. Surface and Interface Analysis (John Wiley & Sons) (Guest Editor)
  2. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (日本表面科学会) (Advisory board 委員)

最近の学術論文

  1. Dynamic Observation of Nano-Structure Growth by LEEM and PEEM
    R. Amakawa, H. Shimizu, T. Yasue, T. Koshikawa and E. Bauer
    Proc. of 4th Int. Symp. on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices 573-576 (2004)
  2. Development of Aberration-Corrected Photo Emission Electron Microscope for High Resolved Imaging
    H. Shimizu, T. Yasue, R. Amakawa, T. Ikuta, T. Koshikawa and E. Bauer
    Proc. of 4th Int. Symp. on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices 569-572 (2004)
  3. Angle Dependent Neutralization of Low Energy Alkali Ions Scattered from Alkali-covered Si Surfaces
    T. Kan, T. Yasue and T. Koshikawa
    Proc. of 4th Int. Symp. on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices 316-322 (2004)
  4. The Depth Profile Measurement of High Dielectrics Gate Insulation Using the High-Resolution Medium Energy Ion Scattering
    K. Kawashima, T. Yasue, T. Koshikawa and T. Hattori
    Proc. of 4th Int. Symp. on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices 285-288 (2004)
  5. STM Observation of Cu Nano-structure Formation on Hydrogen Terminated Si Surfaces
    T. Igarashi, Y. Fukushima, N. Kuroiwa, P. Rajasekar, H. Neddermeyer, T. Yasue and T. Koshikawa
    Proc. of 4th Int. Symp. on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices 112-115 (2004)
  6. Surface Observation by LEEM and High Resolution PEEM by Moving 　Focus Method
    T.Koshikawa, T.Yasue, H.Shimizu, T.Ikuta and E.Bauer
    Proc. of 4th Int. Symp. on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices 531-535 (2004)
  7. Comparison of Energy-Loss Functions from Reflection Electron Energy Loss Spectroscopy Spectra with Surface and Bulk Energy-Loss Functions in case of Cu
    Z.Zhang, T.Koshikawa, T.Iyasu, R.Shimizu, and K.Goto
    Jap. J. Appl. Phys. 43 7137-7141 (2004)
  8. Monte-Carlo simulation of secondary electron emission by X-ray irradiation- an application of X-ray absorption near-edge structure (XANES)
    T.Iyasu, K.Tamura, R.Shimizu, Z.Zhang, T.Koshikawa, H.Yoshikawa and S.Fukushima
    Surf. and Interf. Anal. 36 1413-1416 (2004)


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