総合電子

中村　初夫

教授　中村　初夫

ヘテロ接合の成長層・界面の評価を高精度で行う目的で、軟Ｘ線分光法を応用した表面層・界面の非破壊分析を遷移金属・シリサイド／シリコンの系について研究を行っている。広く行われている光電子分光法では得ることのできない部分状態密度の知見を得ることにより、シリコン基板上の成長層・界面の電子エネルギー状態および化学結合状態を明らかにすることを目指している。