３．考察

　本論文では、浅いドナー（⊿E_D1=0.110eV,N_D1=1.00*10¹⁶cm^-3）、深いドナー（⊿E_D2=0.150eV,N_D2=1.00*10¹⁶cm^-3）、
浅いアクセプタ（⊿E_A1=0.200eV,N_A1=1.00*10¹³cm^-3及び深いアクセプタ（⊿E_A2=0.300eV,N_A2=1.00*10¹³cm^-3）とが混在するｎ形6H-SiC（バンドギャップE_g=3.00eV）のn(T)を計算した結果（図１）を用いて、本論文の有用性を検討する。上記の２種類のドナーはNが立方晶サイトと六方晶サイトに入った場合に対応し^１）、浅いアク

		－（８）

から求める。上記の式のn(T)は図１のn(T)を用い、6H-SiCに対する電子の有効状態密度N_C(T)[cm^-3]は次式で与えられる^３）。

		－（９）

３．１　浅いドナーとアクセプタ密度の評価

　 E_ref=0eVでの関数S(T,E_refを図２の破線で示す。式（２）からわかるように、深いドナーは低温でのn(T)にほとんど影響を及ぼさない。そこで、E(T,E_refに正の値を用い、関数S(T,E_ref) のピークを低温側に移動させ、浅いドナーとアクセプタを精度良く評価する。E_ref=0.054eVを用い、T_peak1を95.0KにしたS(T,E_ref)を図２の実線で示す。このときのピークの値は、2.54*10¹⁹cm^-3・eV^-1である。
　低温では、浅いドナーとアクセプタだけが に影響を及ぼすから、式（４）は

		－（１０）

と表せる。求める値を⊿E^D1と比N_A/N_D1の２つに減らすために、次の関数を考える。

		－（１１）
		－（１２）

Y(T,E_ref)/Y(T_peak1,E_ref)が0.9になる低温側の温度（T_0.9）を新たに導入する。ただし、Y(T,E_ref)/Y(T_peak1,E_ref)=S(T,E_ref)/S(T_peak1,E_ref)である。T_peak1とT_0.9を用いて、上記の式（１２）から⊿E_D1と比N_A/N_D1を求める。図２よりT_0.9=77.8Kである。T_peak1でY(T,E_ref)が最大になり、T_0.9で Y(T,E_ref)/Y(T_peak1,E_ref)が0.9になる⊿E_D1

		－（１３）

図２よりS(95.0,0.054)=2.52*10¹⁹cm^-3・eV^-1である。一方、Y(95.0,0.054)は、先に求めた⊿E_D1と比N_A/N_D1を用いて、式（１２）より2.40*10³eV^-1となる。これらを用いて、N_D1は1.05*10¹⁶cm^-3と求められる。さらに、N_A/N_D1=1.88*10^-3であるから、N_Aは1.97*10¹³cm^-3となる。実際の値と比較することによって、⊿E_D1、N_D1とN_Aを精度良く評価できたことがわかる。

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