多数キャリヤ密度の温度依存性n(T)を利用して、関数n(T)exp(Eref/kT)/kTのピーク値とピークを与える温度から、複数の不純物密度とエネルギー準位を評価する方法を提案した。ここでは、ｎ形半導体について考察したが、ｐ形半導体でも同様に取り扱える。これまでに提案された方法では評価できない条件（２種類のドナー準位差が小さい場合）でも、本論文で提案した方法では精度良くドナーとアクセプタを評価できた。現在、この方法を実験データに応用することを試みている。
1) M. Ikeda, H. Matsunami and T. Tanaka: Phys. Rev., 22(1980)2842.
2) W. Suttrop, G. Pensl and P. Lanig: Appl. Phys., A51(1990)231.
3) T. Kimoto: Dr. Thesis, Faculty of Engineering, Kyoto University, Kyoto, 1995.
4) A. Ito: Dr. Thesis, Faculty of Engineering, Kyoto University, Kyoto, 1996.
5) S. M. Sze: Physics of Semiconductor Devices, 2nd edition (Wiley, New York, 1981).
6) H. J. Hoffmann: Appl. Phys., 19(1979)307.
7) H. J. Hoffmann, H. Nakayama, T. Nishino and Y. Hamakawa: Appl. Phys., A33(1984)47.
8) H. Nakayama, A. Matsuura, M. Kohno and T. Nishino: Materials Science Forum, 117-118(1993)279.
9) H. Matsuura and K. Sonoi: Jpn. J. Appl. Phys., 5(1996)L557.
10) H. Matsuura: Jpn. J. Appl. Phys., to be published in October, 1996.
11) H. Matsuura: Jpn. J. Appl. Phys., to be published in November, 1996.
(1) A simple praphic method for evaluating densities and energy levels of
impurities in semiconductor from temperrature dependence of majority-
carrier concentration
Hideharu Matsuura and Kazuhide Sonoi:
Jpn.J.Appl.Phys.35(1996)L555-L557.
(2) Evaluation of densities and energy levels of donors and acceptors in
compensated semiconductor from temperature dependence of majority
carrier concentration
Hideharu Matsuura:
Jpn. J. Appl. Phys. 35(1996)5297-5298.
(3) Evaluating densities and energy levels of impurities with close energy
levels in semiconductor from temperature dependence of majority-
carrier concentration
Hideharu Matsuura:
Jpn. J. Appl. Phys. 35(1996)[to be published in November].