○ 損失
★光吸収の損失
エネルギーギャプEg以上のエネルギーをもつ光子だけが吸収され、Egより低いエネルギーは透過してしまう。
★吸収後のエネルギー損失
Egより大きいhνのエネルギーが吸収されるが、hν−Egのエネルギーは熱エネルギーとなり利用できるのは、Egだけである。
★再結合による損失
光子によって、P型では電子、N型では正孔が接合部へ向かって移動する。
P層の伝導帯と空乏層のA点で発生した電子はすぐに段差を転げおちる。しかし、それより左で発生した電子は右側へ向かって移動するが、
移動に要する時間が長くP型シリコン中を0.01μm通過するのに約3μsecかかり、これは距離の二乗に比例して増加する。
過剰な電子はエネルギー帯の準位をもつ再結合中心を介して消滅してしまう。この寿命はP型シリコンでは、数μsec、
拡散による通過時間と比較すると、0.01cmと同等である。