[目的] |
現在LSIの内部を近接場光学顕微鏡で見てみると、LSIのチップの幅は1995年では5mm、今ではわずか3mmまでとなっている。LSIの内部配線の太さは今では、0.18μmであり今後は0.13μmになりつつある。現在の技術では、ICの信号がどれか一つでも故障すると何故どこが故障したか分からず、新しいICと交換することしかできなかった。近い将来この近接場光学が物になれば結晶内の局所的な分布をナノメートルスケールで調べることができ、未知の故障度が分かり、より一層小型化への道が開けます。
今測定したい試料の単結晶の境目ではいったい何が起こっているのか?試料の境目を知るためにプローブより直線偏光を出し、その偏光方向を連続的に変化させることにより、偏光が分子の遷移モーメントの向きと一致した時、光の吸収等から試料中試料中の遷移モーメントの向きとその分布を見ることができます。
そのために我々偏光子班は既製品の光ファイバー偏光素子ではファイバーのループの直径を自由に変えることができないため、ファイバーの直径を自由に変えられるように光ファイバー偏光素子の器具を製作しました。ファイバーの直径を自由に変えられるようにし、器具を起こしたり、倒したりするこので任意の直線偏光を導き出すことが出来ます。
このよう偏光方向を連続的に変化させることで、今はNd/YAGレーザーを使用していますが、他の波長にも対応できるため、広範囲の波長にも対応できます。 |