応用物理学会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
第3回個別討論会
【目的】
「シミュレーション技術のSiCデバイスの発展への寄与」について、シミュレーションの基礎的なところから現状までの報告の後、参加者から事前に提出された質問を交えながら、シミュレーションと実験の両面からSiCデバイスの早期実現化に向けた課題を討論する。
【プログラム】
テーマ：「シミュレーション技術のSiCへの応用」
日 時：平成20年7月25日(金) 12：15〜17：30
場 所：大阪電気通信大学 寝屋川キャンパス 図書館小ホール
定 員：100名（今回は参加の制限がありませんので、同一機関・企業から複数の参加ができます。）
（電子メールによる事前申込です。）
参加費：1000円（資料代を含む）
12:15-12:20 播磨 弘 （京都工繊大） 「挨拶」
12:20-12:30 松浦 秀治（大阪電通大） 「討論会のねらいと議論の進め方」
12:30-13:00 田中 宏明（大阪電通大） 「分子動力学シミュレーションによるSiCの変形・破壊機構の解析」
13:00-14:00 原 英之（大阪大学） 「第一原理分子動力学シミュレーションを用いた4H-SiC表面エッチング機構の考察」
14:00-14:10 休憩
14:10-15:10 木藤 泰男（デンソー） 「SiC結晶成長におけるシミュレーションの活用」
15:10-16:10 畠山 哲夫（東芝） 「SiCのデバイスシミュレーションにおける物理モデルと応用例」
16:10-16:20 休憩
16:20-16:40 森川 陽二 「Silvaco社のSiC向けプロセス・デバイス・ソルーション」
（シルバコ・ジャパン）
16:40-17:00 Sudarshan Krishnamoorthy 「Device simulation for SiC devices」
（日本シノプシス）
17:00-17:30 総合討論（司会） 松浦 秀治
主 催：応用物理学会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
大阪電気通信大学 基礎エレクトロニクス研究所
世話人：松浦 秀治 〒572-8530 大阪府寝屋川市初町18-8 大阪電気通信大学 工学部電子工学科
電話/FAX：072-820-9031
E-mail：matsuura@isc.osakac.ac.jp
講演内容の概要
「分子動力学シミュレーションによるSiCの変形・破壊機構の解析」
田中 宏明（大阪電通大）
SiCの微視的な機械的特性および微小切削機構を解明するため、分子動力学法を用いて、単結晶SiCの微小な押込み、三点曲げ、切削機構を解析した。その結果、塑性変形には相変態が不可欠であることやクラック発生の臨界応力等を明らかにした。
「第一原理分子動力学シミュレーションを用いた4H-SiC表面エッチング機構の考察」
原 英之（大阪大学）
第一原理分子動力学プログラムSTATE-senriを用いて4H-SiC の表面エネルギー差を見積もり、4H-SiC表面でのエッチング機構の考察を行った結果について発表する。
「SiC結晶成長におけるシミュレーションの活用」
木藤 泰男（デンソー）
高速・長尺・高品質成長を目指した結晶成長開発において、熱流体・反応解析、及び、分子シミュレーション（第一原理、モンテカルロ、量子分子動力学計算）を利用した事例について紹介する。
「SiCのデバイスシミュレーションにおける物理モデルと応用例」
畠山 哲夫（東芝）
SiC固有の物性を取り入れたデバイスシミュレーションの物理モデル（破壊電界の異方性を中心に）について論じ、その物理モデルを導入したデバイス設計例を紹介する。
「Silvaco社のSiC向けプロセス・デバイス・ソルーション」
森川 陽二（シルバコ・ジャパン）
シルバコ社の汎用プロセス・デバイスシミュレーターについて、どのようなモデルで、どこまでSiC素子の電気特性シミュレーションが可能であるのか、計算速度向上の取り組みも含めて現状をご紹介します。
「Device simulation for SiC devices」
Sudarshan Krishnamoorthy （日本シノプシス）
Silicon carbide (SiC) has long been recognized as a promising semiconductor for power electronics in view of its superior material attributes, allowing the realization of higher blocking voltages and switching frequencies in combination with excellent thermal conductivity. Recently, advances in the availability of large diameter SiC wafers with reduced micropipe defect counts and novel processing techniques have incited development efforts to bring new SiC devices to market, including Schottky rectifiers, vertical JFETs, and power MOSFETs. As with other semiconductor technologies, TCAD simulation is an important tool to help engineers design and optimize the device structures. However, successful simulation of SiC devices requires special considerations in the numerical methods used because of the very low intrinsic carrier concentrations characteristic of wide bandgap materials. Moreover, as new experimental results are reported, it is important to ensure a consistent set of model parameters is used. This lecture discusses best practices for robust SiC device simulation and presents the calibration of some model parameters to experimental data.
応用物理学会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第3回個別討論会
申し込み要項
1. 参加者ご本人が電子メールで、お申し込みください。（事前申込制）
2. 申込先は松浦秀治（SiC研究会庶務幹事、matsuura@isc.osakac.ac.jp）です。
3. 申込締切日は7月11日(金)ですが、満員（100名）になり次第締め切ります。
これまで行ってきました参加の制限はありませんので、同一機関・企業からも複数名申し込めます。
4. 申し込みに際して、以下を明記して下さい。
（ア）名前（漢字）：
（イ）名前（ふりがな）：
（ウ）メールアドレス：
（エ）所属先：
（オ）連絡先住所：
（カ）連絡先電話番号（またはFAX番号）：
（キ）専門分野：
（ク）講演に対する質問（事前に講演者に伝えますので、講演者名と質問をご記入ください）：
5. 問い合わせ先：
松浦秀治（matsuura@isc.osakac.ac.jp）SiC研究会庶務幹事
〒572-8530 寝屋川市初町18-8 大阪電気通信大学 工学部電子工学科
電話/FAX 072-820-9031
播磨 弘（harima@kit.ac.jp）SiC研究会代表幹事
〒606-8585 京都市左京区松ヶ崎 京都工芸繊維大学 基盤科学部門
電話/FAX 075-724-7421