総合電子工学研究紹介教員紹介安江 常夫
教授 安江 常夫
半導体表面上でのナノ構造や超薄膜の形成過程の動的な観察や、原子レベルでの解析を、低エネルギー電子顕微鏡、光電子顕微鏡、および走査トンネル顕微鏡を用いて行っている。低エネルギー電子顕微鏡では2原子層厚さの超薄膜の構造変化の過程をはじめて実時間観察することに成功した。また、超薄膜形成過程においてステップコントラストの異常な振る舞いを見出し、定性的な解析を行った。光電子顕微鏡においては、一般的に仕事関数に依存したコントラストが観察されるとされてきたが、蒸着量や電子状態も考慮しなければならないことを明らかにした。

これら以外の研究として、低エネルギーイオン散乱法を用いて低速イオンと固体表面との荷電変換過程に関する研究なども行っている。


各学会,協会での役員,幹事,編集委員,査読委員等
  1. 日本表面科学会関西支部 (幹事)
  2. 日本真空協会関西支部 (幹事(2月より))
  3. 応用物理学会 (代議員(2月より))
  4. 応用物理学会関西支部 (幹事(3月まで))
  5. 日本学術振興会マイクロビームアナリシス第141委員会 (運営幹事(8月まで))

国際会議での組織委員,実行委員,論文委員等
  1. 15th International Workshop on Inelastic Ion-Surface Collisions (実行委員(庶務))
  2. 5th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ‘05 (プログラム委員)

学術雑誌の出版編集委員等
  1. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (日本表面科学会) (Editorial Board委員)

学術論文

  1. Dynamic Observation of Nano-Structure Growth by LEEM and PEEM
    R. Amakawa, H. Shimizu, T. Yasue, T. Koshikawa and E. Bauer
    Proc. of 4th Int. Symp. on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices 573-576 (2004)
  2. Development of Aberration-Corrected Photo Emission Electron Microscope for High Resolved Imaging
    H. Shimizu, T. Yasue, R. Amakawa, T. Ikuta, T. Koshikawa and E. Bauer
    Proc. of 4th Int. Symp. on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices 569-572 (2004)
  3. Angle Dependent Neutralization of Low Energy Alkali Ions Scattered from Alkali-covered Si Surfaces
    T. Kan, T. Yasue and T. Koshikawa
    Proc. of 4th Int. Symp. on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices 316-322 (2004)
  4. The Depth Profile Measurement of High Dielectrics Gate Insulation Using the High-Resolution Medium Energy Ion Scattering
    K. Kawashima, T. Yasue, T. Koshikawa and T. Hattori
    Proc. of 4th Int. Symp. on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices 285-288 (2004)
  5. STM Observation of Cu Nano-structure Formation on Hydrogen Terminated Si Surfaces
    T. Igarashi, Y. Fukushima, N. Kuroiwa, P. Rajasekar, H. Neddermeyer, T. Yasue and T. Koshikawa
    Proc. of 4th Int. Symp. on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices 112-115 (2004)
  6. Surface Observation by LEEM and High Resolution PEEM by Moving Focus Method
    T.Koshikawa, T.Yasue, H.Shimizu, T.Ikuta and E.Bauer
    Proc. of 4th Int. Symp. on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices 531-535 (2004)


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