当研究室で作成したソフト

FCCS法(Free Carrier Concentration Spectroscopy)
　ホール効果測定から求めた多数キャリア密度の温度依存性から
　不純物及び欠陥の密度と準位を評価する方法
　ドーパントの励起状態を考慮しています。
　深いドーパントの密度と準位評価が可能になりました。
　例えば、SiC、GaN、ダイアモンドのアクセプタの評価ができます。
　（Windows用のアプリケーションです。）
　（推奨 Windows 2000またはWindowsXP）
　（モニターの解像度は1024x768以上）
　Version 1.5.1　（FCCSWin1_5_1.zip　　2.93 MB）　2004年6月2日
　データの解析ができない場合は、ご連絡ください。
　アプリケーションを改善するために、
　データを送っていただけないでしょうか？

DCTS法(Discharge Current Transient Spectroscopy)
　半絶縁性半導体および絶縁体の過渡電流から、膜中に含まれる
　トラップの密度と放出割合を評価する方法
　Version 1.0　(DCTSWin_1_0.zip　　2.69 MB)　2007年1月23日

強誘電性半導体を用いたショットキー障壁ダイオードのバンドの曲がり
　Version 1.1 (FSBD1_1.zip, 732 kB)　　2003年7月1日
  内容は以下の論文を参照してください。
  "Calculation of band bending in ferroelectric semiconductor"
  Hideharu Matsuura:
  New J. Phys. 2(2000)8.1-8.11. PDF file 254 kB

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