Ｑ４．温度によってどのように依存するの？
Ａ４．例として、ｎ形半導体における依存のされ方を図と対応させながら、説明しています。
      ａ）絶対温度零度。
          熱エネルギーがないから、キャリア密度は０のままで、ドナーは、イオン化してません。
　　　　　

      ｂ）温度を少しだけ上げてみましょう。
          E

はEcのすぐ下にあるからちょっとしたエネルギーで、電子を放出したがります。
          でも、温度が低い間は、Ec以上に上がった電子はエネルギー不足のため不安定で、
          またすぐにE

に落ちてしまします。
          だから、全体としては、少量の電子がEc以上に存在することになります。
　　　　　ここから、いくつかのドナーは、電子を放出するために、陽イオン化します。
          

      ｃ）もうチョイ温度を上げてみよう。
          E

上にあるドナーが調子に乗ってどんどん電子を放出しはじめます。
          

      ｄ）室温。
          殆どのドナーは、電子を放出しています。
          

          このぐらいまでが、下図の（Ａ）の領域であり、

という。
      ｅ）さらに温度を上げてみよう。
          ドナーが調子に乗りすぎて持ち駒である電子を全て放出しています。
          

      ｆ）さらにさらに温度を上げてみよう。
          まだ電子を放出するように思われがちですが、ここでは、ｅ）でもふれたようにE

は、
　　　　　からっぽなんでEvから電子が上がってくるほどのエネルギーを得るまでは、しばらく、
　　　　　一定のキャリア密度を保ちます。
　　　　　このぐらいまでが、下図の（Ｂ）の領域であり、

という。
      ｇ）バリバリ温度を上げます。
          E

そっちのけで電子が無尽蔵のEvからバンバンEcへ上がっていきます。　　
          ここでは、全てのドナーが陽イオン化しています。