（１）ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒとＭＯＳＦＥＴの相違点
一般に、ＦＥＴの特長は４つに分けられる。 第１に、物理的な大きさである。ＭＯＳＦＥＴはｂｉｐｏｌａｒ ｊａｎｃｔｉｏｎ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＢＪＴ）に比べて小さく、チップの占める面積の２０％から４０％に過ぎない。従って、ＩＣチップ上に密に集積でき、ＬＳＩなどによく用いられる。 第２に、ＭＯＳＦＥＴはある動作範囲では電圧制御抵抗素子として動作し、従来のＩＣ抵抗よりチップ上に占有する面積が非常に小さい。 第３に、低容量で極めて高いインピーダンスである。 第４に、大きな電力を取り扱うことができ、数ナノ秒で大電流をスイッチできることである。これはＢＪＴよりもずっと速く、具体的には、ＢＪＴ ２Ｎ６３０８では平均スイッチング時間が１３００ナノ秒に対し、ＭＯＳＦＥＴ ＶＭＰ−１では、５ナノ秒と著しく違う。これは、ＦＥＴを高周波高電力スイッチとして利用できることを意味している。 最初の３つの特長を１つの装置で利用できることは、多くの異なる回路機能をＭＯＳＦＥＴだけで１つのシリコンチップにもたせることができる。
（２）ＭＯＳＦＥＴの動作原理
エンハンスメント型のｎ−ＭＯＳＦＥＴを（Fig.１）に示す。ゲートはＳｉＯ２で誘電体である。ゲートに正の電圧が加わると誘電体が静電分極し、ゲートの下に電子が誘起され、ソースとドレイン付近の電子が去る。
（Fig.１）ｎ−ＭＯＳＦＥＴ
従って、ソースとドレインの付近には自由キャリアが存在しない、空乏層ができる。ゲート電圧が増加するに従って、ゲートのすぐ下にｎチャネルができ、チャネルに引き付けられる電子の数は増す。それ故チャネルの導電率は増加する。ドレイン・ソース間電圧を増加させると、さらに空乏層が広がり、チャネルを狭くする。更に、ドレインの端の電荷がなくなり、チャネル・インピーダンスは増加し、ＶＤＳ＝ＶＰ でチャネルがピンチオフになり、チャネルインピーダンスは無限大、即ち導電率が０になる。（実際には、無限大にならず、１００ｋΩぐらい）このときゲート・ソース間電圧がさらに増加しても、ドレイン・ソース間電圧に対しては、チャネルの能動部分にかかる電界は一定値に飽和し、ドレイン・ソース間電流ｉＤ はほんのわずか増加するだけである。（実際には特性が変化し、ドレイン・ソース間電圧が増加する程、飽和領域のｉＤ −ＶＤＳの傾きが増す。）ドレイン・ソース間電圧がピンチオフ電圧を越えると、空乏領域が（Fig.２）のようにドレインとソースの間にできる。 次に、ドレイン・ソース間電圧ＶＤＳをピンチオフ以上に固定して、ゲート電圧を増加させると、チャネルの導電率が増加して電流は増す。従って、ドレイン・ソース間電圧ＶＤＳはゲート電圧によって変化する。 これはエンハンスメントモードＭＯＳＦＥＴであるから、ＭＯＳＦＥＴの動作領域では、ゲート電圧ＶＧＳは正である。また、チャネルを作るためには正でなければならないし、チャネルを形成されるまでは電流は流れないから、ゲート電圧ＶＧＳがある正の電圧（しきい値電圧）Ｖｔｈ以上にならなければならない。 これを考慮して、ドレイン・ソース間電圧ＶＤＳが
ＶＤＳ
≦ＶＧＳ
−Ｖｔｈ
−（１）
の低電圧領域即ち、飽和されていないオーミック領域でのｉＤ−ＶＤＳの関係は、
−（２）
となる。この領域ではゲート・ソース間電圧ＶＧＳで制御される非線形電圧制御抵抗素子として振る舞う。
（Fig.２）channelの形成
また、
ＶＤＳ
＝ＶＧＳ
−Ｖｔｈ
−（３）
になると、チヤネルがピンチオフし、ｉＤ がほぼ一定値になった飽和領域では（３）を（２）に代入すると、 ｉＤ は、
−（４）
となる。この領域ではＦＥＴが増幅素子として振る舞うことを示す。（（6）付録参照）
（Fig.３）ピンチオフした状態