（３）実験方法

（Fig.４）にエンハンスメント型のｎ−ＭＯＳＦＥＴの静特性測定回路を示す。 　 

（１）Ｖ
ＧＳ
−ｉ
Ｄ
　（ドレイン−ソース間電圧−ドレイン電流）特性（伝達特性）を測定する。

　ドレイン−ソース間電圧ＶＤＳ＝１０［Ｖ］に設定し、ゲート−ソース間電圧ＶＧＳを０［Ｖ］から２．２［Ｖ］まで変化させながら、ドレイン電流ｉＤを測定した。測定値のＶＧＳ−ｉＤ の関係をプロットしたものを（Fig.5）に示した。また、ドレイン−ソース間電圧を２［Ｖ］，４［Ｖ］，６［Ｖ］，８［Ｖ］にした時も同様にゲート−ソース間電圧ＶＧＳを０［Ｖ］から２．２［Ｖ］まで変えて測定し、測定値をプロットしたものをそれぞれ同様に、（Fig.5）に示した。 

（２）Ｖ
ＤＳ
−ｉ
Ｄ
　（ドレイン−ソース間電圧−ドレイン電流）特性（ドレイン平面特性）を測定する。

ゲート−ソース間電圧ＶＧＳ＝１．４［Ｖ］に設定し、ドレイン−ソース電圧ＶＤＳを０［Ｖ］から２０［Ｖ］まで変化させた時のドレイン電流ｉＤを測定した。測定値のＶＤＳ−ｉＤ　の関係をプロットしたものを（Fig.６）に示す。同様に、ＶＧＳが１．５［Ｖ］，１．６［Ｖ］，１．７［Ｖ］，１．８［Ｖ］，１．９［Ｖ］，２．０［Ｖ］の時のＶＤＳ，ｉＤ　のＶＤＳ−ｉＤの関係をプロットしたものをそれぞれ同様に（Fig.６）に示す。

この実験の使用装置を以下に示す。 

電圧計（Ｖ
ＧＳ
）：
商品名：　
MODEL 115A MILLIVOLT AMMETER
（電子電圧計）
製造年月日（点検日）：　９５年６月２６日
製造社名：　菊水電子工業株式会社
　　　　　　（
KIKUSUI
　Ｅ
LCTRONICS CORP.) 
型名：　
CLASS1.5 FS
±
100
μ
A 95A245 
電圧計（不使用）：
商品名：　
MODEL 115A MILLIVOLT AMMETER
（電子電圧計）
製造年月日（点検日）：　１９８８年
製造社名：　菊水電子工業株式会社
　　　　　（
KIKUSUI ELCTRONICS CORP.) 
型名：　
S-70644 VV-515 
電圧計（Ｖ
ＤＳ
）：
商品名：
　
MODEL 115A MILLIVOLT AMMETER (
電子電圧計）
製造年月日（点検日）：　９３年９月２９日
製造社名：　菊水電子工業株式会社
　　　　　　
(KIKUSUI ELCTRONICS CORP
．）
型名：　
CLASS 1.5 FS
±
100
μ
A 95A245 
電流計（ｉ
Ｄ
　（以下の時以外））：
商品名：　
MILLIAMPERES D.C.
（直流電流計）
製造年月日（点検日）：　１９６８年　
型名：　　
No.M8H265 WORKS.LTD 
　　
TYPE2011 CLASS0.5 
電流計（ｉ
Ｄ
（ｉ
Ｄ
−Ｖ
ＤＳ
特性測定のＶ
ＧＳ
＝１．４［Ｖ］の時に用いた））：
商品名：　
MILLIAMPERES D.C.
（直流電流計）
製造年月日（点検日）：　６１年９月２５日
製造社名：　
YOKOGAWA ELECTRIC WORKS.LTD. 
　　　　　
MADE IN SINGAPORE 
型名：　
TYPE2011 CLASS0.5 
　　
0.1mA 750 
　　
0.3mA 750 
　　
1.0mA 278 
　　
3.0mA 97.5 
　　
MA-533 
　　
YEW2011-9 
　　
No.08151S 
　　　　　　
トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）：
　　　　型名：　Ｋ１３３６　３Ｊ３

　

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