の式が成り立つには、ＶＤＳ−ｉＤ 特性のグラフがオーミック領域で二次の曲線にならなければならない。従って、 （Fig.６）おいてオーミック領域のデータを二次式の最小二乗近似すると（Fig.７）のようになり、上式が成立する。
（１）
［１］ゲート・ソース間電圧ＶＧＳ
とドレイン電流ｉＤ
特性（伝達特性）について 理論より（ｆｉｇ．5
）のとおり、ドレイン電流はゲート電圧によって変化する。また、（（２）理論）の （４）式のＫ及びしきい値電圧Ｖｔｈ
は（（５）検討）の（１）で求める。 ［２］ドレイン・ソース間電圧ＶＤＳ
とドレイン電流ｉＤ
特性（ドレイン平面特性）について （Fｉｇ．6
）より、ＶＧＳ
がしきい値電圧付近ではドレイン電流のグラフはほぼｉＤ
＝０の直線になる。 （２）
チャネル長変調係数は（（５）検討）の（１）で求める。
（３）
オーミック領域に対して、 の式が成り立つには、ＶＤＳ−ｉＤ 特性のグラフがオーミック領域で二次の曲線にならなければならない。従って、 （Fig.６）おいてオーミック領域のデータを二次式の最小二乗近似すると（Fig.７）のようになり、上式が成立する。
