後援会・ワークショップ・シンポジウム │ 大阪電気通信大学 エレクトロニクス基礎研究所
講演会
「三谷武志先生 講演会」
エレクトロニクス基礎研究所では、4H-SiC単結晶成長に関して低コスト化、高能率化、高品質化、大口径対応化 を目指した研究で中心的な役割を担われている三谷武志先生をお迎えして講演会を開催します。 卒研生・院生を含めて、多くの皆様の来聴を歓迎します。
SiC溶液成長法による大型結晶育成についての取り組み （成長表面の平坦性制御に着目して）
産業技術総合研究所 三谷 武志
人間の生活において電気エネルギーは大変利用しやすく、消費のみならず発蓄電まで含め、 使途多様化が最も進んでいます。しかし電力エネルギーの消費量は増加の一途をたどっており、 省エネルギー技術の高度化は持続的な社会発展の為に極めて重要な課題となっています。発電 から消費までの間、交流―直流、電圧、周波数変換など様々な電力変換を介しますが、その都 度電力損失が発生しています。その損失を低減させ、省エネルギー化に貢献するための技術開 発が産総研先進パワエレセンターでのミッションです。SiC単結晶はワイドバンドギャップ半導 体の代表格であり、高温動作が可能で低損失・高耐圧電力変換用パワーデバイスの基板材料と して知られています。そこで当センターではSiC結晶成長技術からデバイスプロセス・システム 応用といった、材料科学からパワエレ応用技術まで広範な技術分野について一貫研究を行っています。
その中で私達のチームではSiC結晶の研究開発を行っています。SiCは2000℃超で昇華が起こ るため、SiやGaAsのように融液からの結晶成長が不可能です。そのため、昇華再結晶化法が単 結晶育成技術として発展し、現在量産技術として実用化されています。しかし、Si融液にCを溶 解させてSiC結晶化を行う溶液法では、転位欠陥密度を低減する高品質化や高濃度ドーピングに よる超低抵抗化の点で従来法より優れている可能性があります。そこで結晶機能の革新的向上 を目指し、溶液法というこれまでとは異なるアプローチで高品質高機能SiC結晶の作製を目指しています。
溶液法では上述した優位点がある一方で、結晶成長時の表面荒れが顕著であり半導体用途の 大型単結晶の育成が困難であるという問題を抱えています。我々は成長面の平坦性を長時間安 定に保ち大型単結晶育成を実現するため、温度・過飽和度・界面（表面）エネルギーなどの観 点から溶液成長結晶の表面状態に関する知見を積み重ねてきました。本講演では種々の成長条 件下での表面マクロステップ構造に重点を置いて、これまでの実験結果を紹介させて頂きます。
本研究の一部は、総合科学技術・イノベーション会議のSIP（戦略的イノベーション創造プ ログラム）「次世代パワーエレクトロニクス／SiC次世代パワーエレクトロニクスの統合的研究 開発」（管理法人：NEDO）によって実施されました。
【問い合わせ】
大阪電気通信大学 工学部 阿久津 典子
tel: 072-824-1131（内線2267）
e-mail nori＠phys.osakac.ac.jp
【参加申し込み】
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所 古賀 弘
tel: 072-824-1131（内線2588） fax: 072-820-9010
e-mail feri@isc.osakac.ac.jp
